Verfahren zum Ätzen einer Metalloxid-Verbindungsschicht und Behandlungsvorrichtung
EP1158576
Art A3
24. November 2004
Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED, Tokyo Electron Limited 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1158576
- Aktenzeichen
- EP01112800
- Anmeldetag
- 28. Mai 2001
- Veröffentlichung
- 24. November 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/311H01L21/00C04B41/53H01L21/316C23F4/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- TOKYO ELECTRON LIMITED
Tokyo Electron Limited - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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Vertreten von
Liesegang, Roland
München, Deutschland
387
Patente gesamt
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