Integrierter Halbleiterspeicher mit redundanter Einheit von Speicherzellen
EP1160669
Art B1
14. April 2004
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1160669
- Aktenzeichen
- EP01110795
- Anmeldetag
- 4. Mai 2001
- Veröffentlichung
- 14. April 2004
- Erteilung
- 14. April 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G06F11/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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