Verfahren zur Herstellung von einem Halbleiterbauelement aus Siliziumkarbid
EP1160845
Art A3
27. November 2002
Anmelder: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1160845
- Aktenzeichen
- EP01112273
- Anmeldetag
- 18. Mai 2001
- Veröffentlichung
- 27. November 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/265H01L21/329H01L21/336H01L21/331
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Panasonic
Japanischer Konzern, der Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Batterien sowie Komponenten und Lösungen für Industrie und Automobilbau entwickelt und herstellt.
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