Bipolartransistor und Verfahren zur Herstellung

EP1160850 Art A3 14. Januar 2004

Anmelder: NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd., NEC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1160850
Aktenzeichen: EP01112393
Anmeldetag: 21. Mai 2001
Veröffentlichung: 14. Januar 2004
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/331H01L29/732

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd.
NEC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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