Ladungskompensationshalbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung

EP1160871 Art B1 17. November 2004

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1160871
Aktenzeichen: EP01112152
Anmeldetag: 17. Mai 2001
Veröffentlichung: 17. November 2004
Erteilung: 17. November 2004
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/06H01L29/78H01L21/336H01L21/306H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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