Herstellungsverfahren einer Dünnschicht auf der Basis von Silizium, Dünnschicht auf der Basis von Silizium und photovoltaisches Bauelement
EP1160879
Art A3
17. Mai 2006
Anmelder: CANON KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1160879
- Aktenzeichen
- EP01113168
- Anmeldetag
- 30. Mai 2001
- Veröffentlichung
- 17. Mai 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/18H01L31/075H01L31/0392H01L31/20H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CANON KABUSHIKI KAISHA
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Canon
Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, der Kameras, Objektive, Drucker, Kopiergeräte sowie optische und medizinische Bildgebungstechnik entwickelt und herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
Leson, Thomas Johannes Alois, Dipl.-Ing
München, Deutschland
4.590
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21
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TBK-Patent · München