Verfahren zur Herstellung einer vertikalen MOS-Transistoranordnung
EP1161767
Art B1
18. Mai 2011
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1161767
- Aktenzeichen
- EP00918684
- Anmeldetag
- 3. März 2000
- Veröffentlichung
- 18. Mai 2011
- Erteilung
- 18. Mai 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L21/331H01L21/265H01L21/225H01L29/78H01L29/739H01L29/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Bickel, Michael
München, Deutschland
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