Dram-Zellenanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
EP1161770
Art A1
12. Dezember 2001
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1161770
- Aktenzeichen
- EP00916811
- Anmeldetag
- 10. März 2000
- Veröffentlichung
- 12. Dezember 2001
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8242H01L27/108
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kottmann, Heinz Dieter
München, Deutschland
104
Patente gesamt
13
Fachgebiete
4
Anmelder-Länder
Schwerpunkte