Verfahren zur Herstellung einer Einzel-Transistor-Speicheranordnung mit MOCVD-Metalloxidschichten
EP1162657
Art A3
22. Dezember 2004
Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha, SHARP KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1162657
- Aktenzeichen
- EP01304965
- Anmeldetag
- 6. Juni 2001
- Veröffentlichung
- 22. Dezember 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L21/28H01L29/49G11C11/40G11C11/22G11C16/04H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sharp Kabushiki Kaisha
SHARP KABUSHIKI KAISHA - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sharp
Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.
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Vertreten von
Brown, Kenneth Richard
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