Plasmabearbeitungsverfahren und -Reaktor mit Regelung der Rf-Bias-Leistung

EP1166322 Art B1 11. April 2007

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1166322
Aktenzeichen
EP00910115
Anmeldetag
10. Februar 2000
Veröffentlichung
11. April 2007
Erteilung
11. April 2007
Rechtsraum
EP
IPC
H01J37/32H03H7/40
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
LAM RESEARCH CORPORATION
Land
🇺🇸 USA

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Orchard, Oliver John London, Großbritannien
25
Patente gesamt
9
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Nachrichtentechnik & Telekommunikation Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung Elektronik & Schaltungstechnik Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Akustik, Musik & Datenspeicherung
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