Verfahren zur Prozessierung einer Monokristallinen Halbleiterscheibe und Teilweise Prozessierte Halbleiterscheibe
EP1166339
Art A1
2. Januar 2002
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1166339
- Aktenzeichen
- EP00929254
- Anmeldetag
- 24. März 2000
- Veröffentlichung
- 2. Januar 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L21/314H01L21/318
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Graf Lambsdorff, Matthias
München, Deutschland
161
Patente gesamt
21
Fachgebiete
9
Anmelder-Länder
Schwerpunkte