Halbleiter-Festwertspeicheranordnung mit Substratkontakt und Polysilizium-Überbrückungszelle
EP1166356
Art A1
2. Januar 2002
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1166356
- Aktenzeichen
- EP00920343
- Anmeldetag
- 1. März 2000
- Veröffentlichung
- 2. Januar 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/112
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Kottmann, Heinz Dieter
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