Dotierpasten zur Erzeugung von P, P+ und N, N+ Bereichen in Halbleitern

EP1166366 Art B1 30. November 2011

Anmelder: BASF SE, BASF Aktiengesellschaft, MERCK PATENT GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1166366
Aktenzeichen: EP00918752
Anmeldetag: 29. Februar 2000
Veröffentlichung: 30. November 2011
Erteilung: 30. November 2011
Rechtsraum: EP
IPC: H01L31/068H01L31/0288H01L21/033H01L21/312H01L21/316

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: BASF SE
BASF Aktiengesellschaft
MERCK PATENT GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 BASF

Deutscher Chemiekonzern mit Sitz in Ludwigshafen, gegründet 1865. Entwickelt und produziert Chemikalien, Kunststoffe, Agrarprodukte und Materialien für zahlreiche Industriezweige.

22.742 Patente in unserer Datenbank

🇩🇪 Merck KGaA

Deutsches Pharma- und Chemieunternehmen mit Sitz in Darmstadt. Aktiv in Biopharmazeutika, Life-Science-Technologien sowie elektronischen Materialien für Halbleiter- und Displayindustrie. Nicht zu verwechseln mit dem US-Unternehmen Merck & Co.

5.684 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von