Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtwiderstandes mit vorbestimmtem Temperaturkoeffizient
EP1168379
Art A3
8. Dezember 2004
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1168379
- Aktenzeichen
- EP01000260
- Anmeldetag
- 29. Juni 2001
- Veröffentlichung
- 8. Dezember 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01C17/232H01C7/00H01C17/075H01L21/02H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Holt, Michael
Northampton, Großbritannien
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