Halbleitersubstrat mit hohem Widerstand und Verfahren zur Herstellung desselben

EP1168428 Art A3 15. Juni 2005

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1168428
Aktenzeichen
EP01114709
Anmeldetag
21. Juni 2001
Veröffentlichung
15. Juni 2005
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/322H01L29/32H01L21/324
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Kabushiki Kaisha Toshiba
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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