Verfahren zur Herstellung einer Verdrahtung für Kontaktlöcher

EP1168431 Art A3 7. Mai 2003

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1168431
Aktenzeichen
EP01115187
Anmeldetag
22. Juni 2001
Veröffentlichung
7. Mai 2003
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/768
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Infineon Technologies AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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