Halbleiterbauelement mit vertikalem Bipolartransistor

EP1168452 Art A3 6. Oktober 2004

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1168452
Aktenzeichen
EP01114890
Anmeldetag
29. Juni 2001
Veröffentlichung
6. Oktober 2004
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/732H01L29/08
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Kabushiki Kaisha Toshiba
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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