Verfahren zur Herstellung Graben-Gate Halbleiteranordnungen
EP1171910
Art A2
16. Januar 2002
Anmelder: NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1171910
- Aktenzeichen
- EP00985035
- Anmeldetag
- 10. November 2000
- Veröffentlichung
- 16. Januar 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L21/331H01L21/338
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Crawford, Andrew
Nijmegen, Niederlande
618
Patente gesamt
20
Fachgebiete
6
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Williamson, Paul Lewis
NoneEindhoven
-
White, Andrew Gordon
NoneEindhoven
-
Sharrock, Daniel John
Nash Matthews LLP · Redhill
-
Stevens, Brian Thomas
NoneEindhoven