Verfahren zur Herstellung Graben-Gate Halbleiteranordnungen
EP1171910
Art A2
16. Januar 2002
Anmelder: NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1171910
- Aktenzeichen
- EP00985035
- Anmeldetag
- 10. November 2000
- Veröffentlichung
- 16. Januar 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L21/331H01L21/338
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.985 Patente in unserer Datenbank
🇳🇱
Philips
Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
45.201 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Crawford, Andrew
Nijmegen, Niederlande
618
Patente gesamt
20
Fachgebiete
6
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Williamson, Paul Lewis
NoneEindhoven
-
White, Andrew Gordon
NoneEindhoven
-
Sharrock, Daniel John
Nash Matthews LLP · Redhill
-
Stevens, Brian Thomas
NoneEindhoven