Elektrische Leiteranordnung für ein Halbleiterbauelement und Verfahren zu Ihrer Herstellung
EP1171915
Art B1
31. Dezember 2008
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1171915
- Aktenzeichen
- EP00923402
- Anmeldetag
- 17. April 2000
- Veröffentlichung
- 31. Dezember 2008
- Erteilung
- 31. Dezember 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/498
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
Fox-Male, Nicholas Vincent Humbert
Nottingham, Großbritannien
514
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