Verfahren zur Herstellung eines Substrates aus einkristallinem Gallium Nitrid und danach hergestelltes Substrat
EP1172464
Art A1
16. Januar 2002
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1172464
- Aktenzeichen
- EP01116827
- Anmeldetag
- 10. Juli 2001
- Veröffentlichung
- 16. Januar 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B25/02C30B29/40H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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