Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung und deren Herstellungsverfahren

EP1172856 Art A1 16. Januar 2002

Anmelder: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD., HALO LSI DESIGN AND DEVICE TECHNOLOGIES INC., Halo Lsi Design and Device Technology Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1172856
Aktenzeichen: EP01116049
Anmeldetag: 2. Juli 2001
Veröffentlichung: 16. Januar 2002
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/115H01L21/8247H01L29/788H01L29/423H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
HALO LSI DESIGN AND DEVICE TECHNOLOGIES INC.
Halo Lsi Design and Device Technology Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Panasonic

Japanischer Konzern, der Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Batterien sowie Komponenten und Lösungen für Industrie und Automobilbau entwickelt und herstellt.

36.518 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von