Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung und Verfahren zur Herstellung
EP1172861
Art A3
5. November 2003
Anmelder: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD., HALO LSI DESIGN AND DEVICE TECHNOLOGIES INC., Matsushita Electric Co., Ltd., Halo Lsi Design and Device Technology Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1172861
- Aktenzeichen
- EP01116932
- Anmeldetag
- 11. Juli 2001
- Veröffentlichung
- 5. November 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/788H01L27/115H01L21/8247H01L29/423H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
HALO LSI DESIGN AND DEVICE TECHNOLOGIES INC.
Matsushita Electric Co., Ltd.
Halo Lsi Design and Device Technology Inc. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Panasonic
Japanischer Konzern, der Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Batterien sowie Komponenten und Lösungen für Industrie und Automobilbau entwickelt und herstellt.
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