Verfahren zur Herstellung eines p-Typ Verbindungshalbleiters auf Basis von Gallium-Nitrid, Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Vorrichtung auf Basis von Galliumnitrid-Halbleiterverbindungen und lichtemittierende Vorrichtung auf Basis von Galliumnitrid-Halbleiterverbindungen
EP1172867
Art A3
6. September 2006
Anmelder: SHOWA DENKO K.K., SHOWA DENKO KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1172867
- Aktenzeichen
- EP01305791
- Anmeldetag
- 4. Juli 2001
- Veröffentlichung
- 6. September 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SHOWA DENKO K.K.
SHOWA DENKO KABUSHIKI KAISHA - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Showa Denko
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, seit 2023 als Resonac Holdings firmierend. Aktiv in Petrochemie, Elektronikmaterialien, Batteriematerialien sowie Halbleiterchemikalien.
3.077 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Smith, Norman Ian
London, Großbritannien
330
Patente gesamt
31
Fachgebiete
18
Anmelder-Länder
Schwerpunkte