Herstellungsmethode eines Dielektrik-Stapels mit Hoher Permitivität und Kleinem Pufferoxid
EP1173886
Art A1
23. Januar 2002
Anmelder: Globalfoundries Inc., GlobalFoundries, Inc., ADVANCED MICRO DEVICES, INC., ADVANCED MICRO DEVICES INC. 🇰🇾
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1173886
- Aktenzeichen
- EP00912060
- Anmeldetag
- 29. Februar 2000
- Veröffentlichung
- 23. Januar 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/316
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Globalfoundries Inc.
GlobalFoundries, Inc.
ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
ADVANCED MICRO DEVICES INC. - Land
- 🇰🇾 KY
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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Fachgebiete
Vertreten von
Wright, Hugh Ronald
London, Großbritannien
229
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19
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8
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