Halbleiter und Halbleitersubstrat
EP1174928
Art A1
23. Januar 2002
Anmelder: Renesas Technology Corp., Hitachi, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1174928
- Aktenzeichen
- EP00911430
- Anmeldetag
- 28. März 2000
- Veröffentlichung
- 23. Januar 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Renesas Technology Corp.
Hitachi, Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi
Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.
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