Leistungshalbleiterbauelement und dessen Herstellungsverfahren

EP1174929 Art A2 23. Januar 2002

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1174929
Aktenzeichen
EP01116656
Anmeldetag
13. Juli 2001
Veröffentlichung
23. Januar 2002
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/78H01L21/336H01L29/40H01L29/06H01L21/265H01L29/08
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.645 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen