Halbleiter-Bauelement
EP1175700
Art B1
5. Dezember 2012
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1175700
- Aktenzeichen
- EP00936637
- Anmeldetag
- 20. April 2000
- Veröffentlichung
- 5. Dezember 2012
- Erteilung
- 5. Dezember 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/088H01L29/78H01L29/06// H01L29/732
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Bickel, Michael
München, Deutschland
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