Verwendung eines borid-basierten Substrats zum Aufwachsen von nitrid-basierten Halbleiterschichten und Halbleiterbauelement mit demselben

EP1176231 Art B1 26. August 2009

Anmelder: National Institute for Materials Science, KYOCERA CORPORATION, Kyocera Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1176231
Aktenzeichen: EP01117725
Anmeldetag: 27. Juli 2001
Veröffentlichung: 26. August 2009
Erteilung: 26. August 2009
Rechtsraum: EP
IPC: C30B29/10H01L21/20H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: National Institute for Materials Science
KYOCERA CORPORATION
Kyocera Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute for Materials Science

Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.

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🇯🇵 Kyocera

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Kyoto. Kyocera fertigt Keramikbauteile, Halbleiterkomponenten, Solarmodule, Druck- und Kopiersysteme sowie Elektronikprodukte für Industrie und Endverbraucher.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von