Herstellungssystem und Methode eines Dünnschicht-Transistors, Polysilizium-Untersuchungsmethode und Apparat
EP1176636
Art B1
4. Mai 2011
Anmelder: Sony Corporation, SONY CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1176636
- Aktenzeichen
- EP01306383
- Anmeldetag
- 25. Juli 2001
- Veröffentlichung
- 4. Mai 2011
- Erteilung
- 4. Mai 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/66H01L21/336G01B11/30
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sony Corporation
SONY CORPORATION - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sony Group
Japanischer Technologie- und Unterhaltungskonzern mit Sitz in Tokio. Sony entwickelt Unterhaltungselektronik, Bildsensoren, Spielesysteme sowie Musik- und Filmangebote.
30.400 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Ayers, Martyn Lewis Stanley
London, Großbritannien
183
Patente gesamt
18
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte