MOS-Leistungs-Halbleiteranordnung mit Graben-Gateelektrode und Verfahren zu deren Herstellung
EP1176643
Art A2
30. Januar 2002
Anmelder: Fairchild Semiconductor Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1176643
- Aktenzeichen
- EP01116709
- Anmeldetag
- 17. Juli 2001
- Veröffentlichung
- 30. Januar 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/417H01L29/423H01L29/739H01L29/745H01L21/336H01L21/331H01L21/332
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Fairchild Semiconductor Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der 2016 von ON Semiconductor übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter- und Schaltungstechnik sowie Leistungselektronik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2017.
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Fachgebiete
Kanzlei
Wuesthoff & Wuesthoff
München, Deutschland
Wuesthoff & Wuesthoff wurde 1927 in Berlin von Dr. Franz und Dr. Freda Wuesthoff gegründet, die erste deutsche Patentanwältin, und zog 1949 nach München. Schwerpunkte liegen in Biotechnologie und Life Sciences, beraten wird auch auf Chinesisch, Koreanisch und Japanisch.
30.087
Patente gesamt
15
Patentanwälte
1
Standorte
Weitere Vertreter
-
Schmidt, Steffen J., Dipl.-Ing
NoneMünchen