Herstellungsverfahren einer Integrierten Schaltung unter Verwendung von Antireflexionsschichten

EP1177574 Art B1 15. September 2010

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1177574
Aktenzeichen: EP00928389
Anmeldetag: 25. April 2000
Veröffentlichung: 15. September 2010
Erteilung: 15. September 2010
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/027G03F7/09

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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