Ätzmethode von Dotiertem Polysilizium mit Hoher Selektivität zu Undotiertem Polysilizium
EP1177575
Art A1
6. Februar 2002
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1177575
- Aktenzeichen
- EP00921671
- Anmeldetag
- 5. April 2000
- Veröffentlichung
- 6. Februar 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/306H01L21/3213C23F1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
3.194 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Powell, Timothy John
Nottingham, Großbritannien
627
Patente gesamt
32
Fachgebiete
19
Anmelder-Länder
Schwerpunkte