Nichtflüchtiges Halbleiterspeicherbauelement und dessen Herstellungsverfahren
EP1178533
Art B1
23. April 2003
Anmelder: MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1178533
- Aktenzeichen
- EP01111341
- Anmeldetag
- 9. Mai 2001
- Veröffentlichung
- 23. April 2003
- Erteilung
- 23. April 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/115H01L21/8247H01L21/336H01L29/788
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Electric
Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.
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Fachgebiete
Vertreten von
Prüfer, Lutz H
München, Deutschland
221
Patente gesamt
27
Fachgebiete
6
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Prüfer, Lutz H., Dipl.-Phys
NoneMünchen