Halbleiterdiamant des N-Typs und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1179621
Art A1
13. Februar 2002
Anmelder: Japan Science and Technology Agency, National Institute for Materials Science, Yasu, Eiji, Gamo, Mika, Sakaguchi, Isao, Japan Science and Technology Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1179621
- Aktenzeichen
- EP00911381
- Anmeldetag
- 27. März 2000
- Veröffentlichung
- 13. Februar 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Japan Science and Technology Agency
National Institute for Materials Science
Yasu, Eiji
Gamo, Mika
Sakaguchi, Isao
Japan Science and Technology Corporation - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Japan Science and Technology Agency
Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.
2.090 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
828 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Henseler, Daniela
Düsseldorf, Deutschland
380
Patente gesamt
33
Fachgebiete
11
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Röhl, Wolf Horst, Dipl.-Phys., Dr
NoneDüsseldorf