Grabenkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung

EP1180796 Art A3 5. Oktober 2005

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1180796
Aktenzeichen: EP01118293
Anmeldetag: 31. Juli 2001
Veröffentlichung: 5. Oktober 2005
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/8242H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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