Halbleiter-Speicherbauteil und Verfahren zur Herstellung desselben

EP1180799 Art A3 28. September 2005

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1180799
Aktenzeichen
EP01119605
Anmeldetag
17. August 2001
Veröffentlichung
28. September 2005
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/108H01L27/12G11C11/4076G11C11/406G11C11/404
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.647 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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