Schreib-Leseverstärker für eine Dram-Speicherzelle sowie Dram-Speicher
EP1181691
Art B1
24. August 2005
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1181691
- Aktenzeichen
- EP01921181
- Anmeldetag
- 13. März 2001
- Veröffentlichung
- 24. August 2005
- Erteilung
- 24. August 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C7/06G11C11/4091
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Dokter, Eric-Michael
München, Deutschland
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