Herstellungsverfahren eines Niederohmigen Mosfet Gatters mittels Dickem Metallsilizids auf Polysilizium
EP1181711
Art A2
27. Februar 2002
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC., ADVANCED MICRO DEVICES INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1181711
- Aktenzeichen
- EP00917912
- Anmeldetag
- 13. März 2000
- Veröffentlichung
- 27. Februar 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
ADVANCED MICRO DEVICES INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
1.708 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Sanders, Peter Colin Christopher
London, Großbritannien
77
Patente gesamt
13
Fachgebiete
4
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Sanders, Peter Colin Christopher (GB)
NoneLondon