Herstellungsverfahren von Hochintegrierten Speicherzellen und Kleinen Abständen durch Anwendung von Nitridspacern
EP1181714
Art A1
27. Februar 2002
Anmelder: Globalfoundries Inc., GlobalFoundries, Inc., ADVANCED MICRO DEVICES INC. 🇰🇾
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1181714
- Aktenzeichen
- EP00917905
- Anmeldetag
- 13. März 2000
- Veröffentlichung
- 27. Februar 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/033H01L21/308
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Globalfoundries Inc.
GlobalFoundries, Inc.
ADVANCED MICRO DEVICES INC. - Land
- 🇰🇾 KY
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
1.708 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Sanders, Peter Colin Christopher (GB)
London, Großbritannien
11
Patente gesamt
6
Fachgebiete
3
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Brookes IP
Brookes IP · Tunbridge Wells
-
Brookes Batchellor LLP
Brookes Batchellor LLP · London