Doppel-Gate-Mosfet-Transistor und Verfahren zu Seiner Herstellung
EP1181723
Art B1
11. August 2004
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1181723
- Aktenzeichen
- EP00949064
- Anmeldetag
- 26. Mai 2000
- Veröffentlichung
- 11. August 2004
- Erteilung
- 11. August 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Graf Lambsdorff, Matthias
München, Deutschland
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