Verfahren zur Herstellung einer ferroelektrischen Festkörperschicht unter Verwendung eines Hilfsstoffes
EP1182276
Art B1
2. Januar 2008
Anmelder: Qimonda AG, Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1182276
- Aktenzeichen
- EP01119519
- Anmeldetag
- 14. August 2001
- Veröffentlichung
- 2. Januar 2008
- Erteilung
- 2. Januar 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C23C16/44C23C16/40C30B29/32H01L21/316C23C16/455
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Qimonda AG
Infineon Technologies AG - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Graf Lambsdorff, Matthias
München, Deutschland
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