Verfahren zum Kristallziehen, Verfahren Ur Herstellung einer Halbleiterstruktur, Halbleitervorrichtung und System
EP1182282
Art A1
27. Februar 2002
Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha, SHARP KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1182282
- Aktenzeichen
- EP00909745
- Anmeldetag
- 17. März 2000
- Veröffentlichung
- 27. Februar 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/40H01S5/343H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sharp Kabushiki Kaisha
SHARP KABUSHIKI KAISHA - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sharp
Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.
19.779 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Hoffmann, Jörg Peter
München, Deutschland
326
Patente gesamt
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