Halbleiterbauelement mit Integriertem Cmos Schaltkreis mit Mostransistoren mit Silizium-Germanium (si 1-X Ge X) Gatterelektroden, und Herstellungsverfahren
EP1183727
Art A1
6. März 2002
Anmelder: Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1183727
- Aktenzeichen
- EP01903737
- Anmeldetag
- 12. Februar 2001
- Veröffentlichung
- 6. März 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8238H01L27/092
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Koninklijke Philips Electronics N.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
Philips
Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
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Vertreten von
Duijvestijn, Adrianus Johannes
Eindhoven, Niederlande
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