Nichtflüchtige Halbleiter-Speicherzelle mit einem Metalloxid-Dielektrikum und Verfahren zu deren Herstellung
EP1183735
Art B1
19. Oktober 2005
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1183735
- Aktenzeichen
- EP00947793
- Anmeldetag
- 6. Juni 2000
- Veröffentlichung
- 19. Oktober 2005
- Erteilung
- 19. Oktober 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/51H01L29/788
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Kindermann, Peter
Baldham, Deutschland
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Weitere Vertreter
-
Kindermann, Peter, Dipl.-Ing
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