Monokristalline Nickel-Basis-Legierungen und Verfahren zur Herstellung und daraus hergestellte Hochtemperaturbauteile einer Gasturbine

EP1184473 Art B1 5. Januar 2005

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, Independent Administrative Institution National Institute for Materials Science, Independent Administrative Institution National Institute for Material Science 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1184473
Aktenzeichen: EP01120897
Anmeldetag: 30. August 2001
Veröffentlichung: 5. Januar 2005
Erteilung: 5. Januar 2005
Rechtsraum: EP
IPC: C22C19/05C30B29/52C30B11/00C22F1/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Kabushiki Kaisha Toshiba
Independent Administrative Institution National Institute for Materials Science
Independent Administrative Institution National Institute for Material Science
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von