Herstellungsmethode einer Halbleiter-Integrierten Schaltung mit Mehrlagen-Verdrahtungsstruktur
EP1184901
Art A1
6. März 2002
Anmelder: ADVANTEST CORPORATION, Soma, Mani, Advantest Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1184901
- Aktenzeichen
- EP01906202
- Anmeldetag
- 22. Februar 2001
- Veröffentlichung
- 6. März 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- ADVANTEST CORPORATION
Soma, Mani
Advantest Corporation - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Advantest
Japanisches Unternehmen mit Sitz in Tokio, Hersteller von Testsystemen für Halbleiter und elektronische Bauteile.
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Fachgebiete
Vertreten von
Hoffmann, Eckart, Dipl.-Ing
Gräfelfing, Deutschland
933
Patente gesamt
27
Fachgebiete
7
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
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MERH-IP Matias Erny Reichl Hoffmann Patentanwälte PartG mbB
MERH-IP Matias Erny Reichl Hoffmann Patentanwälte PartG mbB · München
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MERH-IP Matias Erny Reichl Hoffmann
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