Verfahren zur Bildung eines Isolationsgrabens in einem SOI-Substrat

EP1184902 Art A1 6. März 2002

Anmelder: Panasonic Corporation, MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1184902
Aktenzeichen: EP01120911
Anmeldetag: 30. August 2001
Veröffentlichung: 6. März 2002
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L21/763

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Panasonic Corporation
MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Panasonic

Japanischer Konzern, der Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Batterien sowie Komponenten und Lösungen für Industrie und Automobilbau entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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