Feldeffekttransistor

EP1184908 Art B1 4. Mai 2011

Anmelder: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING COMPANY, LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1184908
Aktenzeichen
EP01118110
Anmeldetag
26. Juli 2001
Veröffentlichung
4. Mai 2011
Erteilung
4. Mai 2011
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/78H01L29/06H01L29/739H01L29/08
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING COMPANY, LIMITED
Land
🇯🇵 Japan

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Körber, Wolfhart München, Deutschland
121
Patente gesamt
23
Fachgebiete
8
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Nachrichtentechnik & Telekommunikation Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik Elektronik & Schaltungstechnik Optik & Fototechnik
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