Laterale Bipolartransistoranordnung mit Isolierter Steuerelektrode (ligbt) in Silizium auf Isolator (soi) Technologie
EP1186008
Art A2
13. März 2002
Anmelder: NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1186008
- Aktenzeichen
- EP00993456
- Anmeldetag
- 29. November 2000
- Veröffentlichung
- 13. März 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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White, Andrew Gordon
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Groenendaal, Antonius Wilhelmus Maria
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