Methode und Apparat, eine Konventionelle Drahtverbindung auf einer Anschlussfläche aus Kupfer zu Ermöglichen

EP1186022 Art A2 13. März 2002

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION, LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1186022
Aktenzeichen
EP00917749
Anmeldetag
6. März 2000
Veröffentlichung
13. März 2002
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/60H01L21/311H01L21/3213B08B1/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
LAM RESEARCH CORPORATION
LAM Research Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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